|
Кількість
|
Вартість
|
||
|
|
|||
LCR-T4 ESR LCR тестер напівпровідників ємності індукції
Особливості
Рідкокристалічний дисплей 128х64 із зеленим підсвічуванням.
-Автоматична ідентифікація радіоелектронний компонентів (резистор, конденсатор, котушка індуктивності, діод, подвійний діод, біполярний NPN, PNP транзистор, N-канальний і Р-канальний MOS FET, JFET транзисстор, малопотужний тисатор, симістор.
- Вимірювання опору, ємності, індуктивності, прямої напруги переходу в діодах і біполярних транзисторів, ємності та порокової напруги затвора в польових транзисторів, виявлення захисних діодів у транзисторів.
- Постачається без корпусу (КІТ).
-Питание 9V от батареї типу "Крона" (не входить до комплекту постачання).
* Розряджайте конденсатори до тестування!
Технічні характеристики тестера напівпровідників і вимірювача RLC, ESR.
1. Тест напівпровідників, конденсаторів, резисторів, індуктивностей проводиться за одну операцію — натисканням кнопки. Автоматичне вимкнення після тесту.
2. Споживаний струм після вимкнення не більш ніж 20nA.
3. Діапазон вимірювання резисторів становить від 0,1 Ом до 50M Ом з точністю 1%.
4. Діапазон вимірювання ємності становить від 25рF до 100mF і точністю 1%.
5. Діапазон вимірювання індуктивності становить від 0,01mН до 20H і точністю 1%.
6. Автоматичне визначення NPN, PNP білосніжних транзисторів, N-канальних і Р-канальних MOS FET, JFET транзисторів, діодів, подвійних діодів, тиристорів невеликої потужності, односпрямованих і двоспрямованих тирсаторів.
7. Автоматичне визначення цоколювання напівпровідників.
8. Вимірювання в біполярних транзисторів коефіцієнта посилення та порокової напруги база — іміттер.
9. Виявлення захисних діодів у біполярних і MOS FET транзисторів.
10. Ідентифікація транзисторів Дарлінгтону.
11. Вимірювання порогової напруги та ємності затвора в MOS FET транзисторів.
12. Вимірювання ESR конденсатора з роздільною здатністю 0,01 Ом.
13. Вимірювання подвійних резисторів (потенціометрів) з показом на дисплеї символів резистора.
14. Відтворення символів подвійних діодів із вимірюванням прямої напруги кожного переходу.
15. Визначення комбінованих світлодіодів.
16. Визначення напруги пробою в стабілізронах із напругою не більш ніж 4.5V.
#3591